三映電子工業 システム開発部
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【SSD/NAND 基礎講座】

5. ブロック内部の記憶素子構造


 
■ブロック内部の記憶素子構造

ブロック内部は16個以上の素子を数珠繋ぎにしたものを16本以上並べ、 これに交差する様に制御ゲート用の配線をしている為、複数の素子を一度に書き込みをする事になる。
そのため1素子単位でデータを書き込むことが出来ないことになる。

ブロック内部の記憶素子構造
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